日前，中国科学院半导体所创新项目“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(LED)及关键技术”通过成果鉴定。
半导体照明的核心技术是氮化镓和铝镓铟磷等材料为代表的高亮度发光二级管，半导体所在此研究领域有数年研究成果的坚实基础和一支善于攻关的科研队伍，在核心技术上有自己的创新特点。2004年6月，半导体所将“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(LED)及关键技术”列入半导体所知识创新工程项目，并投入资金，围绕氮化镓基大功率蓝光、白光LED的设计、制作及批量化生产的关键技术等开展攻关。
传统小功率LED及功率型LED通常采用正装结构，随着功率、工作电流以及芯片尺寸的增大，该结构存在诸多问题，影响了出光效率和可靠性。经过科研人员的努力攻关，采用了倒装结构功率型LED的设计，解决了正装结构存在的技术难题，使该项目在关键技术取得突破性进展。鉴定委员会认为：“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(LED)及关键技术”成功研制出氮化镓(GaN)基倒装结构功率型蓝光、白光LED。经中国计量科学院测试研制的蓝光功率型LED在350毫安(mA)工作电流时，其正向电压小于3.5伏(V)、蓝光最高光功率达189毫瓦(mW)，白光最高发光效率为47.5 流明/每瓦(lm/W)，色坐标(0.335,0.338)，色温5413开(K)，显色指数大于80。综合指标在国内处于领先地位，部分指标超过2005年国际市场上同类器件的产品指标。
专家们认为，该项目开发了具有自我知识产权的光、电、热综合模拟的倒装结构LED的设计方法，在国际上首次提出并实现了一种具有低热阻背孔结构过渡热沉的倒装功率型LED芯片，开发了相应的综合集成技术；优化了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和感应耦合等离子体刻蚀(ICP)P型氮化镓(P-GaN)条件，开发了一种低损伤PECVD掩膜沉积技术及低损伤无沾污ICP刻蚀技术；开发了由非镍金等金属构成的新型低接触电阻，高反射率及高可靠性德P电极金属化体系；开发了高可靠性、低接触电阻的N电极金属化体系。