中芯发布0.18微米电可擦除只读存储器工艺技术

    中芯国际(“SMIC”, NYSE: SMI and HKSE: 981)宣布其研发出的0.18微米电可擦除只读存储器(EEPROM)工艺技术已经可以提供给客户使用。为了更好地服务于全球客户，中芯国际设计服务处同时宣布他们采用此项工艺技术成功研发出嵌入式电可擦除只读存储器智能模块设计平台。
    “众所周知，0.18微米电可擦除只读存储器是一项非常重要的技术。尤其在中国，不管是从其巨大的潜力市场来说，还是从其目前以及潜在的应用类产品数量来说，这项技术的重要性均是显而易见的。中芯国际对于客户的需求已经准备就绪。更为重要的是，使用了中芯国际0.18微米电可擦除只读存储器先进技术的真实产品所具有的高可靠性，表明了中芯国际在电可擦除只读存储器的研发制造上达到了一个新里程。”中芯国际存储器技术研发中心资深副总裁李若加表示。
    同时，中芯国际设计服务处在0.18微米电可擦除只读存储器工艺技术基础上，研发出包括嵌入式电可擦除只读存储器、嵌入式只读存储器、嵌入式一次可编程只读存储器等大量存储器智能模块平台。这些智能模块加上微控制器、电压转换器和特殊输入/输出，给消费者提供了一个完整的、经过验证的设计平台解决方案。可广泛运用于各种消费产品中，像微控制器、无线电话、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计，数字信号处理和微控制器等诸多应用设备中。0.18微米电可擦除只读存储器智能模块平台可广泛应用于快速增长的IC卡市场，如手机SIM卡、借记卡、信用卡、身份证、智能卡、USB钥匙以及其他需要安全认证或需时常更新和编写资料的应用设备中。
    中芯国际的0.18微米电可擦除只读存储器IP拥有众多亮点，如较短的单字节读取时间、低功耗，允许页写操作，比0.35微米智能模块缩小了50％的面积，而其高可靠性的保证亦达到了业界水平。除了电可擦除只读存储器外，NAND型只读存储器和NOR型只读存储器智能模块也都已适用，提供较小的面积、低功耗及高速度。存储器编码采用离子注入制程使得编码在芯片上不可见，这无疑更加强了高端智能卡等应用产品的安全性。
除了传统的电可擦除只读存储器加上掩膜版只读存储器的解决方案，中芯国际同时提供一项极具成本效应的电可擦除只读存储器加上一次可编程只读存储器的解决方案。此方案采用低成本的紫外线可擦除一次可编程只读存储器作为掩膜版只读存储器的替代方案。这项方案可在晶圆切割时或现场进行编程，故大大缩短了客户产品面世时间。中芯国际的0.18微米一次可编程只读存储器具有诸多优势，如面积小、较短的单字节编程时间、高读取速度、低功耗和芯片制成后的编程能力。
    目前，4KB，8KB，16KB及32KB 的电可擦除只读存储器智能模块都已可以提供给客户使用。1KB，2KB和64KB亦预计可以开发完成。 32K，64K和128K的NAND型和NOR型的只读存储器及32KB和64KB的一次可编程只读存储器也都可以提供给客户使用，而16KB和128KB的一次可编程只读存储器正在研发中。我们还可依客户需求定制不同容量大小的模块，在较短的时间内即可满足每位客户的不同需求。
   “我们非常高兴能为客户提供内部研发的0.18微米电可擦除只读存储器智能模块平台，”中芯国际设计服务部副总裁欧阳雄表示，“这些最近研发出的智能模块进一步向大家展示了中芯国际成熟的设计能力。我们将继续努力，为客户提供最优化的设计选择方案，以达到最佳性能和最低成本。我们也将继续和世界领先的第三方智能模块供应商积极合作，为客户提供完整的、已验证的设计解决方案。”
    中芯国际目前已拥有400多个内部及第三方提供的已验证IP。 这些IP为客户广泛的设计需求提供全面支持及多重选择。中芯国际始终将质量置于首位，这些IP均接受了全方位严格的测试并得到验证。设计业者可迅速将这些IP运用在芯片设计中。我们的目标是帮助客户将产品面世时间缩至最短。中芯国际设计服务处目前可提供大量从0.35微米至90纳米的半导体IP智能模块。