日本产业技术综合研究所（产综研）功率电子研究中心，日前与日本山梨大学研究生院医学工学综合研究部的春日·矢野研究室，利用自行开发的制造工艺，使用六方结晶SiC（4H-SiC）成功地试制出了具有p+栅极区结构的静电感应晶体管（嵌入栅极型SiC-SIT：SiC-Static-Induction-Transistor）。其耐压为700V，导通电阻为1.01mΩcm2，在耐压为600V～1.2kV的开关元件中，实现了全球最小的导通电阻。与过去的逆变器电路中使用的Si-IGBT（绝缘栅双极晶体管）相比，能够将电量损耗大幅降低了1/12。
嵌入栅极型SiC-SIT的应用范围包括采用AC100/200V商业电源的家电产品（IH烹调炉、热力泵等）、不间断电源（UPS）等小容量逆变器、采用DC300/400C电源的汽车（混合动力车、电动车、燃料电池车等）中容量逆变器、用于大型工业加热器控制的大容量逆变器，可广泛用于分散电源和太阳能发电等领域，预计其市场规模将超过1万亿日元。一旦投入实际应用，据推算到2020年将可使日本的二氧化碳减排效果达到1990年日本二氧化碳总排放量的1%，有望对2005年2月16日正式生效的《京都议定书》所规定的地球温室效应气体的减排做出巨大贡献。
SiC（碳化硅）与硅相比能带隙比约为3倍，绝缘击穿电场强度约为10倍，因此具有良好的耐热性和耐电压性，电量损耗小。目前作为取代硅的功率元件半导体材料受到了业界的广泛关注，全球各地正在加紧进行研究和开发。在使用SiC的元件中，静电感应晶体管（SiC-SIT）作为可充分发挥SiC晶体中高电子迁移率（最高可达900cm2/Vs）特性的低导通电阻的高速开关元件，尤其受到业界青睐。目前市场上唯一销售的SiC开关元件是德国半导体厂商生产的SIT。耐压为1200V，导通电阻为12mΩcm2。提高SIT性能的关键是如何提高沟道结构的微细化工艺水平。过去曾经尝试的结构均难以提高工艺水平，包括市售元件在内都只能得到远远低于SiC材料本身所具有的物理特性极限的性能。
产综研与山梨大学研究生院为了解决上述问题，提出了一种完全嵌入p+栅极区的构造（嵌入栅极型SiC-SIT）。这种构造在形成源电极与栅电极时不需精确地进行位置校对，能够大幅缩小单位元件尺寸（单元间隔）。假如利用这种元件结构提高微细化工艺，那么就能增大单位面积的电流量，降低元件的导通电阻。
作为嵌入栅极型SIT结构，采用硅材料的Si-SIT方案是最先提出来的，并且进行了大量试制。而对于SiC来说，要想利用旨在提高元件微细化水平的传统工艺实现嵌入栅极型SIT结构极为困难，因此过去从未进行过尝试。此次，通过自主开发新的制造工艺技术，不仅实现了微细化嵌入栅极结构，而且还实现了超低电量损耗的功率晶体管。
此次制作的嵌入栅极型SiC-SIT在电压·电流特性方面，在2.5V的栅极电压（VG）和室温条件下得到了1.01mΩcm2的超低导通电阻。反向特性方面，在-12V栅极电压下得到了700V的耐压特性，包括过去所报告的SiC产品在内在耐压值为600V～1.2kV的开关元件中，实现了最低的导通电阻。过去的逆变器电路所用的硅功率晶体管（IGBT）一般是600V的耐压，约12～13mΩcm2的导通电阻。与此相比，由于导通电阻只有1/12，因此电量损耗也就能够大幅减小到了1/12。