在2004年IEEE（电子和电气工程师学会）国际电子器件会议（IEDM）上，特许半导体(Chartered Semiconductor)、IBM、英飞凌(Infineon)和三星(Samsung)纷纷介绍了其65nm工艺，据称这种工艺比先前工艺的性能高出35%。
不久前，IBM公司与AMD、特许半导体、英飞凌和三星分别签署了代工和技术合约。IBM是此联盟中的领先技术提供方，它已公布了其90nm工艺。现在IBM与其合作方显然又推出了65nm技术。
据IEDM上的论文介绍，65nm工艺包括两个平台：基础平台和低功耗平台。其应用包括逻辑器件、SRAM、混合信号和嵌入式存储器件。这些公司宣称，采用这一技术，SRAM单元的尺寸可做到0.51～0.682。这一工艺据称可提供多达10个互联级别和9个铜线级别。它扩展了IBM 90nm工艺中的低K绝缘，它基于专利的碳掺杂氧化材料，并采用Applied Materials公司的CVD工具沉淀而成。
65nm技术还采用了一种12.5埃等离子氮氧化门。论文称，它具有0.5nA～50nA的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件，门级漏电流小于30 pA/μm，GDIL低于10 pA/μm。”