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AMD和富士存储部门成功合并后推出闪存新品

发布时间:2004-04-17 来源:中国自动化网 类型:企业资讯 人浏览
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电子制造

导  读:

NOR闪存解决方案供应商Spansion近日宣布,它在业务整合方面取得了一个重要的里程碑式成果。第一个完全由Spansion开发的、完整的闪存产品系列目前已经投产。该产品系列是由AMD和富士公司存储部门成功合并而取得的成果,为全球各地的客户提供了新的功能和优势。

  基于MirrorBit(tm)技术的SpansionTMS29AL/GLxxxM产品系列的面世标志着该公司从2003年7月创建以来首次推出了一款完全由Spansion自行开发、制造和生产的完整产品线。该产品线在整个生产周期中使用了统一的制造流程。这个新的系列针对嵌入式产品市场(例如DVD播放器、可录DVD和机顶盒等消费电子产品)和工业市场(例如网络设备、工业自动化和汽车电子)进行了专门的优化。

  “在Spansion创建以来的九个月中,我们迅速将AMD和富士公司的闪存业务部的管理、工程和制造部门整合成了一个统一的、有凝聚力的公司。”Spansion的集团副总裁兼嵌入式产品业务部总经理SylviaSummers说。“我可以很自豪地说,我们的S29AL/GLxxxM产品系列的推出不仅标志着Spansion在业务整合方面取得了重要的里程碑式成就,它还帮助我们的客户向前迈进了一大步,因为现在他们可以更快地从浮门技术过渡到MirrorBit技术。

  S29AL/GLxxxM产品线利用230纳米MirrorBit技术制造,从而发挥了已折旧完的旧厂房的成本优势。该产品线包括从16Mb到256Mb的多种产品密度。它通过将客户所需要的特性、性能和出色的成本结构相结合,为使用浮门产品的客户提供了一个出色的替代方案。

  因为230纳米MirrorBit技术有效的单元设计消除了内存阵列中昂贵的管理电路,简化了制造流程,所以它所提供的成本结构等同于180纳米多级单元(MLC)和130纳米每单元单比特(single-bit-per-cell)的浮门技术。这个产品系列中密度较高的产品将会升级到第二代110纳米MirrorBit技术,从而为客户提供了更优化的产品。基于110纳米MirrorBit技术的产品预计将于今年第四季度投产。

  这个新的产品系列的封装、引脚和软件都与现有的Am29LVxxxM和MBM29PLxxxM产品系列兼容。与现有产品相比,S29AL/GLxxxM还提供了下列增强特性:

  * 有效文字编程时间缩短了35%——从MBM29PLxxxM产品转到S29AL/GLxxxM的客户可以大幅度提高生产效率。

  * 扇区擦除时间缩短了75%——从MBM29PLxxxM产品转到S29AL/GLxxxM的客户可以采用更高性能的部件,以便将他们的产品与竞争对手区别开来。

  * 无铅(Pb)封装——从Am29LVxxxM产品转到S29AL/GLxxxM的客户现在可以选择采用无铅包装,其中只包含重量不到0.1%的铅,这样可以减少环境污染,符合国际相关法规的要求。

  客户现在可以索取所有密度的SpansionS29AL/GLxxxM闪存产品的样品。AMD和Fujitsu目前在全球各地提供Spansion闪存产品。

 

本文地址:http://www.ca800.com/news/d_1nrusj6oam311.html

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