Intersil公司近日推出用于高电流多相功率解决方案的数据、通信、POL和计算应用中新款同步标记MOSFET驱动芯片——ISL6612 和 ISL6613，该产品提供最高2 MHz的交换速率和最大3 A驱动电流用于同步标记N通道配置的MOSFET中。此外，ISL6612 和 ISL6613将多种保护措施集成进8引脚的SOIC封装，8引脚衬垫裸露的SOIC (EPSOIC)封装以及小型10层衬垫3 X 3毫米双平无引脚的DFN封装中。
ISL6612以12 V电压驱动MOSFET较高的逻辑门，以及5 V ～ 12 V驱动较低的逻辑门。ISL6613以5 V ～ 12 V电压就可以驱动较高和较低的逻辑门电路。这两种驱动器提供3状态的PWM输入，它可以和Intersil的多状态PWM控制器配合工作以防输出端掉电时输出电压产生负向跳变。
ISL6612 和 ISL6613都包括很多重要的保护特性，如高级自适应零击穿保护，这可以有效提高DC/DC转换器的效率；预先过压保护；过热保护，当接合处温度超过150度（典型值）时自动切断输出，而当接合处温度降到108度（典型值）时，驱动器进行一次复位；36 V的自举引脚使MOSFET驱动能承受切换节点的尖峰脉冲信号等。
ISL6612 和 ISL6613产品可以选择上述的封装方式。推荐的转售价格是购买100 ～ 999件产品的单价。
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