尽管美国已经不再是最大的客户定制MOS cell-based器件的消耗国，但美国在下一代集成电路开发，包括器件和系统方面仍然处于领先地位。In-Stat/MDR公司研究发现，在混合信号、模拟信号、逻辑器件、ASIC、ASSP甚至标准产品市场，美国的研发也非常活跃。
这家市场研究公司表示，日本在2007年前将一直保持在MOS cell-based产品消耗领先的地位，美国将会在之后重夺消耗量第一的位置。2002到2007年间，美国和日本两国的客户定制MOS cell-based消耗量约占全球总量的三分之二。
In-Stat/MDR预计，美国MOS cell-based市场将从2002年的19.14亿美元增加到2007年的34.94亿美元，复合年增长率为12.8%。在2002年到2007年间，美国MOS标准器件市场将有80%的产品面向高端通信和数据处理应用。
摘自：国际电子商情网