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In-Stat/MDR预测嵌入式SRAM增长与Cell-Based ASIC持平

发布时间:2003-06-23 来源:中国自动化网 类型:企业资讯 人浏览
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导  读:

In-Stat/MDR公司近日发布市场研究报告,预测未来客户待定MOS cell-based设计,包括嵌入式SRAM,发展势头将会于MOS cell-based ASIC整体市场类似。该公司预测报告中指出,全球市场从2002年的56.546亿美元增加到2007年的77.256亿美元,年复合增长率为11.5%。 

“内存,特别是静态RAM内存是应用最广泛的半导体器件之一,从独立产品到专用器件,在很多领域都得到应用。”In-Stat/MDR公司资深分析师Jerry Worchel表示,静态RAM技术在很多不同场合得到应用,如单端口/双端口/多端口应用、FIFO以及缓存等。 

In-Stat/MDR的研究还发现,2002年日本在图像芯片市场的消耗量超过美国,成为市场领先者。日本消耗了全球占总价值40%的图像芯片产品,美国为30%多一些。 

本文地址:http://www.ca800.com/news/d_1nrusj6oalsju.html

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