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电力电子 三极管
东芝开发出的CMOS三极管门泄漏电流减小到普通门介质所造CMOS三极管的1/1000。
新型三极管采用HfSiON做三极管的门介质，HfSiON是一种高介电常数(高K)材料，并且为用于65nm的小功率CMOS应用的HfSiON门电介质膜开发出制造工艺。CMOS制造需要多种热工艺过程。该门介质需耐高达1,000℃的加工工艺。用等离子氮的方法形成HfSiON门介质表明没有相分离或结晶过程的热度高达1,050℃。
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