1.E3-PACK封装的新CBI模块
继小功率CBI模块面市之后，IXYS公司又推出110VAC~550VAC的大功率三相全桥逆变模和CBI（整流-斩波-逆变）模。
三相桥逆变模的IGBT 晶片，600V系列的100A、150A和200A，以及1200V系列的75A和100A，均采用NPT 技术制造，所列电流值均是在Tc=80度时的额定值，续流二极管为扩散白金的HiPerFRED 二极管。
CBI模采用与IGBT 相同的生产技术，其逆变部分的IGBT定额为600V的50A、75A、100A和1200V的35A、50A，均为Tc=80度时的额定值；整流部分由平面扩散二极管组成，额定电压为1200V和1600V，而电流定额须根据逆变定额决定。
NPT 技术的IGBT 稳定性强，开关损耗和导通损耗低，具有更宽的反偏安全工作区（RBSOA）。
扩散白金的HiPerFRED晶片，具有软反恢特性，使得开关和正向导通损耗大大减少，同时模块中的NTC温度监测器大大方便了工程师线路设计。
新模块采用同样的封装尺寸：122mm X 62mm。
模块的铜基板，采用4枚螺丝安装方便。连接端可焊，适合于PCB板的优化排列。
新模块的驱动范围为交流7.5~25KW。
采用该方案可以减少整个驱动系统的投入。
2.汽车工业对半导体的需求日益增大；最具有代表性的是42V的集成交变启动器。小型功率半导体多用于工业用机车如叉车等。
采用IXYS专利的HiPerFET技术生产的MOSFET模块具有：
低导通电阻、低触发电量、阻断电压为70~1100V、雪崩定额保证过压峰值时的稳定性、选用大动态面积的晶片生产、本体附带快速二极管。
用M6螺丝安装的新型封装满足以下各项要求：
可以包含一个相腿或一个单开关、增强型螺丝固定端子、控制端采用编码连接器、小封装的高集成水平、低寄生感抗、DCB技术保证高散热效果；等等。
3.IXYS扩大其专利MOSFET和IGBT产品范围，采用TO-220和SMD TO-263封装，
作为对客户需求的反馈，IXYS公司现提供TO-220封装的IXGP系列和TO-263封装的IXGA系列高压IGBT，及功率MOSFET技术；该产品系列可增加客户的功率转换或马达控制系统的功率密度。TO-263是表面贴器件。该封装的功率MOSFET现有：
IXTP/IXTA 2N80、IXTP/IXTA 1N100。IXTP/IXTA 05N100，1000V、0.75A，属最小号的MOSFET 器件。所有这些MOSFET都具有雪崩定额和本体二极管；TO-263封装、1000V的MOSFET可控制6KW的电力回路。
采用该封装的产品还有：IXGP/IXGA 7N60C和IXGP/IXGA 7N60CD1，均为600V、14A的光速C系列。45ns关断下降时间、1000V 16A的IXGP/IXGA 8N100的标准IGBT，其饱和压降仅为2.7V。这些IGBT具有外延结构故其开通时间快。后缀带D1的IGBT具有相等的电流定额、反并续流二极管，HiPerFRED 相对于标准的FRED来说，有较高的散热效率。
低饱和压降之快速高压IGBT
PT型高压IGBT比NPT型具有更快的开通时间和更少的拖尾电流。900V系列之24A（25℃时）IXGH12N90C和56A（25℃时）IXGH28N90B，其最大饱和压降Vce(sat)max分别为3.0V与2.5V,tfi分别为70ns与130ns，1000V 30A之IXGP15N100C，其V ce(sat) <3.5V，tfi<115ns,而1200V 30A 之IXGH15N120C和1200V 70A 之IXGH35N120C，其V ce(sat)分别为3.8V和3.3V, tfi分别为115ns 和160ns。这些型号因具有外延结构而使得开通比NPT更快拖尾也更小。这些超快器件适用于高压SMPS、UPS、交流与直流马达控制等，在SMPS使用中频率可达30Hz以上，而用于ZVS/ZCS（零电压/零电流）之谐振电源，其频率更可高达80KHz。
85V之功率MOSFET
目前绝大部分之电力机车仍然使用12V铅酸电池，通过串、并联获得所需功率定额。新标准的汽车电池为42V，最大瞬压限定在72V。
IXYS最近推出用单模制造之85V 大功率HiPerFET MOSFET IXF-80N085,其定额分别为：ID=80A Pd=300W RDS(on)<9mΩ(Tc=25℃)。现有两种封装TO-247和表面贴TO=268，即为IXFH80N085和IXFT80N085。同样为85V额压的还有ID=180A Pd=560W之IXF-180N085，其RDS(on)为7 mΩ,三种封装分别为：TO-264之 IXFK180N085、PLUS247之 IXFX180N085和 ISOPLUS247 之IXFR180N085。采用HiPerFET 工艺提供更高的雪崩容量，更高的峰流容量和较少本体二极管的反恢时间，使得它们更适合于高频场合。这些器件主要就是针对不同的电力机车和混合机车的低压马达控制器、调节器以及功率转换的使用而生产的。这些MOSFET可代替现有的机车中的复杂控制装置，取得更高的稳定和可靠性。
IXYS 之快速CoolMOS 器件 IXKN40N60C
IXYS新推出之更好性能的功率MOSFET，SOT-227B封装之第二代C系列CoolMOS晶片，适合于开关频率为250KHz以上之场合。CoolMOS器件具有典型的低导通电阻，其RDS(on)仅为70mΩ(为其它同样级别MOSFET之一半)，Tc=25℃时，ID=40A VDS=600V。该封装采用4颗M4螺丝安装，多用于开关电源。该器件采用IXYS之DCB绝缘底板，结合CoolMOS技术，拓展了IXYS之产品范围。另外，类似产品IXKN75N60和采用ISOPLUS247封装的IXKR40N60，适合于200kHz以下之开关电源。
大功率小封装的表面贴（SMD）产品
IXYS采用SMD封装之产品有：整流器、晶闸管、MOS管、IGBT、快恢二极管、肖特基二极管及高压电流调节器。SMD之封装有：TO-252（D-Pack）、TO-263（D-Pack）和TO-268（D3-Pack）。SMD易于安装，功率密度更大，节省客户用于器件之投入。该封装器件多用于开关电源、开关模式之整流和AC-、DC-之马达驱动以及PFC回路、UPS、电池充电器和DC-DC变换器。