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三菱电机发布世界第一款搭载RC-IGBT硅片实现高性价比的超小型第4代DIP-IPM
——科菱机电(上海)有限公司

发布时间:2006-06-07 09:32     新闻类型:企业资讯      人浏览
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三菱电机株式会社宣布:小容量家电用变频电机驱动功率模块超小型第4代DIP-IPM※1系列模块中首次在PS21961内搭载RC-IGBT※2硅片, 样品将于2006年8月完成。

※1:Dual-In-Line Package Intelligent Power Module
TTTTT内置控制芯片的智能功率模块
※2:RC-IGBT: Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor(反向导通IGBT)
TTTTTIGBT和二极管集成在一个硅片上构成功率硅片
发行概要
[img]200667941633366.jpg[/img]
为实现节能化、高性能的目标,近年来电机驱动采用变频技术,其电流从数百安培的大电流领域到数安培的小电流领域广泛扩展。三菱电机作为业界的先驱,早在1997年就开发了压注模封装※3的智能功率模块DIP-IPM用于白色家电和工业用电机的变频驱动。2004年以来,DIP-IPM模块的开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化,并已开发出第4代DIP-IPM产品,额定电流为5A~20A,为白色家电等变频基板的小型化做出贡献。

如今,为提高DIP-IPM的性价比,增加了新开发的搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3A的DIP-IPM模块,从而使第4代DIP-IPM系列产品更加丰富。

※3:压注模封装(transfer mode):将加热加压的树脂注入金属模具加压成型的方法,提高了产能及可靠性。
产品特征
1. 世界上首次将RC-IGBT搭载于变频用途的IPM中
结合了本公司独有的低饱和压降的CSTBTTM※4技术和薄晶片技术等,在IGBT硅片上集成了反向导通的二极管,成功开发出反向导通RC-IGBT。从而减少了模块内置硅片数量和配线数,提高了产品的性价比。

同时,采用散热优化的封装结构使产品的热阻与以往产品相比减小了约一半(减小45%※5),散热特性得到改善。

※4:载流子存储式沟槽型双极晶体管
※5:与SIP-IPM PS21661相比较
2. 历来产品中端子形状最为丰富
模块的端子形状有标准管脚、短管脚、长管脚、控制侧端子Z字形以及两侧端子Z字形。完全满足各种变频系统基板的实际安装要求。
环保政策
针对今年7月起将实行的欧洲RoHS※6指令,模块外部端子的电镀层采用完全无铅焊料,模块内部的焊接也是完全无铅化的,从而实现了模块整体的无铅化。完全满足欧洲的RoHS标准。

※6:RoHS(the Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electric equipment)指令,欧盟国家于2006年7月后实施对电气电子产品中不得含有指定的6种有害物质的规定。
端子形状
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