该真空烧结退火炉是生产半导体器件和磁性材料烧结、退火工序中的重要设备。

主要技术指标：1、工作温度：400～1250℃2、单点温度控制精度≤±1℃/24h3、恒温区长度：≥200mm/±1℃4、升温功率：≤5KVA5、升温时间：（室温至1050℃)≤75min6、保温功率：≤3KVA

7、重新定值重复性：≤±1℃8、重开机重复性：≤±1℃

冷态真空度：≤5 x 10-3Pa（打开扩散泵门后15min）

9、炉体传动升降分：自动及点动，速度无级调速，自动烧结烧结为0～30min

10、真空室尺寸：φ80㎜～φ300mm

11、设备外形尺寸：1703 x 703 x 2450 (mm)(长 x 宽 x 高）

12、重量：约600Kg13、工作条件：

(1)环境温度：10～45℃

(2)相对湿度：≤85%

(3)电网电压：220V ± 10% ～ 380V

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