Magneto-Resistor Serial
Giant Magnetic Resistor Sensors
巨 磁 敏 电 阻 元 件
铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化（达4~10℅,各向异性磁敏电阻为小于3%）.该现象叫磁阻效应. 磁电阻（MR）传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点 .
薄膜磁敏电阻元件的技术指标:
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MTG-L1
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MTG-L1(加偏置磁钢)
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MTG-L2
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MTG-L3(桥式)
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工作电压
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5V ~ 15V
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5V ~ 15V
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工作磁场范围
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0 Gs ~ +/-10 Gs
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0 Gs ~ +/-50 Gs
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0Gs~+/-2Gs
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标称阻值(KΩ)
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2.0－－－－3.6
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2.0－－－－3.6
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1.0－－－－2.0
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1.0－－－－2.0
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对称性
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小于1℅
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小于1℅
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小于1℅
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小于1℅
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线性度
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小于2℅
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小于1℅
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小于2℅
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小于2℅
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灵敏度
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0.3~0.7mV/V,Gs
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0.1~0.4mV/V,Gs
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0.5~1.5mV/V,Gs
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0.8~2mV/V,Gs
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标称阻值温度系数TCRO
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0.09～0.12％/℃
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磁阻温度系数TCVΔR/RO
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-0.1％/℃
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磁阻温度系数TCIΔR/RO
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0.031％/℃
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频率特性
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0－－－－1000 KHz
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工作温度
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-40℃－－－－－－-+100℃
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封装
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- TO 92
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应用:
1. 电子罗盘或电子指南针:航海,航空导航;
2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测;
3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测.
4． 旋转磁轮和运动磁条的转速或速度检测;
5．高速接近传感器；远距离(大于200mm)检测。