静电场的强度取决于充电物体上的电荷数量，和与其它电荷量不同的物体之间的距离。人体上的电压通常会达到8~10kV。有时电压会更高，达到12~15kV。许多文献上称，人体的电压可以达到30kV。但这是假设身体的最小辉光放电放电半径为1厘米。实际上，人体上许多部位的半径小于1厘米，因此在通常条件下是不会出现这种电压的。人体上的最高电压应该是20kV。（衣服、头发或鞋上会有更多的电荷，因为这些物质导电性较差，因此受电晕的影响较小）
在本例中，当人的手指接近键盘时，手指上的静电场会引起介电物质的极化和键盘内电荷的重新分布。导体内的电荷重新分布会加剧介电物质的机化，甚至强度会达到将介质击穿的程度。这种现象在集成电路中尤为普遍，因为集成电路中的介质层很薄。
虽然静电场本身会造成问题，但放电的后果更严重，因为这有直接注入电荷的效应。这时，原来存在于人体与设备之间的能量会转移到IC这类内部器件之间。在这些强电场的作用下，芯片会被击穿而损坏。击穿发生后，伴随着电荷的重新分布，会有较大的电流，这个电流会烧毁键盘内的电子器件。
解决电荷注入问题的一个方
